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SQJ412EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
100
1.7
1.4
I D = 15 A
V GS = 10 V
10
1
T J = 150 °C
V GS = 4.5 V
1.1
0.8
0.5
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.05
0.04
0.03
0.02
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.5
0.1
- 0.3
- 0.7
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
0.01
0
T J = 25 °C
T J = 150 °C
- 1.1
- 1.5
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
50
I D = 1 mA
48
46
44
42
40
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S12-1860-Rev. C, 13-Aug-12
4
Document Number: 65935
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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